Конфигуратор фабрики
Оценка конфигурации полупроводниковой фабрики по опросному листу: выберите технологический узел и производительность — конфигуратор подберёт парк установок по модулям, посчитает площадь чистых помещений, инженерные системы и полный CAPEX. Параметры можно менять, сценарии — сравнивать во вкладках, расчёт — выгрузить в Excel или отправить нам на обсуждение.Заполните опросный лист
Укажите технологический узел и производительность — расчёт появится сразу. Остальные поля можно оставить пустыми: применятся значения по умолчанию, показанные серым внутри полей.
Показать пример: три типовых сценарияСПРАВОЧНИКИ МОДЕЛИ
Техпроцессы: маски и операции на пластину по узлам
| Узел | Архитектура | Imm | ArF | KrF | i-line | Масок | Металл | Thermal | Epi | AFM | CMP | ECD | ALD | CVD | PVD | Impl | Etch | Wet | CD | Insp | λ, нм | NA | k1 | Полушаг, нм |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 130 нм | планарный, poly/SiON | 0 | 4 | 12 | 10 | 26 | 6 | 25 | 0 | 0,3 | 7 | 6 | 1 | 28 | 9 | 16 | 54 | 66 | 18 | 4 | 248 | 0,75 | 0,45 | 148,8 |
| 90 нм | планарный, poly/SiON | 0 | 8 | 12 | 10 | 30 | 7 | 28 | 1 | 0,3 | 9 | 7 | 3 | 35 | 11 | 20 | 66 | 80 | 22 | 4 | 193 | 0,75 | 0,42 | 108,1 |
| 65 нм | планарный, poly/SiON | 0 | 12 | 12 | 10 | 34 | 8 | 30 | 2 | 0,4 | 11 | 8 | 4 | 42 | 12 | 24 | 84 | 102 | 27 | 5 | 193 | 0,93 | 0,36 | 74,7 |
| 45 нм | планарный, HKMG (опц.) | 8 | 12 | 12 | 8 | 40 | 9 | 32 | 2 | 0,5 | 14 | 9 | 6 | 52 | 13 | 26 | 108 | 124 | 31 | 6 | 193 | 1,20 | 0,34 | 54,7 |
| 28 нм | планарный, HKMG gate-last | 14 | 14 | 14 | 8 | 50 | 10 | 35 | 3 | 0,6 | 22 | 10 | 10 | 70 | 16 | 30 | 150 | 160 | 40 | 7 | 193 | 1,35 | 0,30 | 42,9 |
| 22 нм | планарный HKMG / ранний FinFET | 20 | 14 | 16 | 8 | 58 | 11 | 40 | 4 | 0,8 | 28 | 11 | 14 | 84 | 17 | 34 | 178 | 191 | 49 | 8 | 193 | 1,35 | 0,27 | 38,6 |
| 14 нм | FinFET, HKMG | 30 | 16 | 16 | 8 | 70 | 12 | 45 | 6 | 1,0 | 33 | 12 | 19 | 98 | 19 | 38 | 230 | 231 | 62 | 9 | 193 | 1,35 | 0,25 | 35,7 |
Значения — типовые оценки для планарного HKMG (до 22 нм) и FinFET (14 нм): операции — визиты пластины в камеру (суб-шаги рецепта не считаются), метрология и дефектоскопия — с учётом выборочного контроля. Под конкретный маршрут правятся в админке.
Оборудование: производительность, цены, площадь, мощность
| Модуль | Установка | Доля | WPH | OEE | Цена, $M | м² | кВт | Крит. | Поставщики | Альтернативы КНР |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Литография | Сканер ArF immersion, NA 1.35 | — | 175 | 88 % | 105 | 120 | 300 | да | ASML, Nikon | — |
| Литография | Сканер ArF dry, NA 0.93 | — | 170 | 88 % | 45 | 90 | 180 | да | ASML, Nikon | — |
| Литография | Сканер KrF | — | 200 | 88 % | 25 | 80 | 120 | да | ASML, Nikon, Canon | SMEE (ограниченно) |
| Литография | Степпер/сканер i-line | — | 200 | 90 % | 10 | 60 | 80 | Canon, Nikon | SMEE | |
| Литография | Трек нанесения/проявления | — | 150 | 90 % | 7,0 | 60 | 60 | TEL, SCREEN | Kingsemi | |
| Травление (сухое) | Травление диэлектрика (кластер 4 камеры) | 40 % | 90 | 85 % | 10 | 50 | 150 | да | Lam, TEL, AMAT | AMEC, NAURA |
| Травление (сухое) | Травление проводника / Si / poly | 35 % | 90 | 85 % | 9,0 | 50 | 150 | да | Lam, TEL, AMAT | NAURA, AMEC |
| Травление (сухое) | Удаление резиста (strip/ash) | 25 % | 180 | 90 % | 3,0 | 30 | 60 | PSK, Mattson, Lam | NAURA | |
| Влажная очистка | Однопластинная очистка (SC1/SC2/HF) | 60 % | 180 | 88 % | 6,0 | 40 | 60 | да | SCREEN, TEL, Lam | Kingsemi, NAURA |
| Влажная очистка | Ванна групповой обработки | 40 % | 250 | 90 % | 4,0 | 40 | 40 | SCREEN, TEL | Kingsemi | |
| CVD | PECVD / SACVD платформа | 55 % | 80 | 85 % | 8,0 | 50 | 150 | да | AMAT, Lam | Piotech, NAURA |
| CVD | HDP-CVD | 15 % | 45 | 85 % | 9,0 | 50 | 150 | AMAT, Lam | Piotech | |
| CVD | Low-k CVD | 15 % | 45 | 85 % | 10 | 50 | 150 | AMAT, ASM | Piotech | |
| CVD | LPCVD печь (групповая) | 15 % | 300 | 92 % | 4,0 | 40 | 60 | Kokusai, TEL, ASM | NAURA | |
| ALD | Термическое ALD high-k / WF-металлы | 50 % | 30 | 85 % | 10 | 45 | 80 | да | ASM, AMAT, TEL | NAURA |
| ALD | PEALD спейсеры / барьеры | 50 % | 35 | 85 % | 9,0 | 45 | 80 | ASM, TEL, Lam | NAURA, Piotech | |
| PVD | PVD кластер (TiN, Ta/TaN+Cu seed, NiPt, Al) | 100 % | 50 | 85 % | 10 | 50 | 120 | да | AMAT, Ulvac, Evatec | NAURA |
| Электрохимическое осаждение | Cu ECD | 100 % | 40 | 85 % | 6,5 | 40 | 60 | да | Lam, AMAT | Sizone, NAURA |
| ХМП | CMP полировщик с очисткой | 100 % | 45 | 80 % | 7,5 | 50 | 80 | да | AMAT, Ebara | Hwatsing |
| Ионная имплантация | Сильноточный имплантер | 40 % | 150 | 75 % | 6,0 | 60 | 100 | Axcelis, AMAT | CETC-48, Kingstone | |
| Ионная имплантация | Среднеточный имплантер | 45 % | 120 | 78 % | 5,5 | 60 | 80 | да | Axcelis, AMAT, SMIT | CETC-48 |
| Ионная имплантация | Высокоэнергетичный имплантер | 15 % | 100 | 72 % | 7,0 | 70 | 120 | Axcelis | — | |
| Термообработка | RTP / spike-отжиг | 40 % | 60 | 85 % | 4,5 | 30 | 60 | да | AMAT, Mattson | NAURA |
| Термообработка | Лазерный / msec-отжиг | 10 % | 40 | 80 % | 9,0 | 40 | 60 | Veeco, SCREEN | — | |
| Термообработка | Вертикальная печь | 50 % | 250 | 92 % | 4,0 | 40 | 60 | Kokusai, TEL | NAURA | |
| Эпитаксия | Селективная Si/SiGe эпитаксия | 100 % | 20 | 80 % | 12 | 50 | 120 | да | AMAT, ASM | NAURA (разработка) |
| АСМ-метрология | In-line АСМ 300 мм | 100 % | 5 | 75 % | 2,0 | 15 | 10 | Bruker, Park Systems | — | |
| Метрология CD/overlay | CD-SEM | 40 % | 30 | 75 % | 5,0 | 25 | 20 | да | Hitachi, AMAT | — |
| Метрология CD/overlay | Overlay-метрология | 30 % | 80 | 80 % | 4,0 | 20 | 15 | KLA, ASML | — | |
| Метрология CD/overlay | Эллипсометрия / толщина плёнок | 30 % | 80 | 85 % | 2,0 | 15 | 10 | KLA, Nova | — | |
| Дефектоскопия | Оптическая инспекция (светлое поле) | 30 % | 15 | 75 % | 15 | 30 | 30 | KLA, AMAT | — | |
| Дефектоскопия | Оптическая инспекция (тёмное поле) | 50 % | 60 | 80 % | 6,0 | 25 | 20 | KLA, Hitachi | — | |
| Дефектоскопия | Обзор дефектов (DR-SEM) | 20 % | 15 | 75 % | 5,0 | 25 | 20 | AMAT, Hitachi | — |
Производительность и OEE — для 300 мм (прочерк — OEE по умолчанию из сценария), цены — ориентировочные для нового оборудования 2026 г. (±30 %), не котировки. Доли операций внутри модуля дают 100 %.
Инфраструктура: удельные нормы и ставки
| Категория | Статья | Драйвер | Ставка, $/ед. | Фикс., $M |
|---|---|---|---|---|
| Здание | Чистые помещения ISO 4–5: оболочка, фальшпол, FFU, потолок | м² чистых помещений | 4 000 | 0,0 |
| Здание | Сабфаб (технический этаж) | м² сабфаба | 2 000 | 0,0 |
| Здание | Вспомогательные, складские и офисные площади | м² вспомогательных площадей | 1 500 | 0,0 |
| Здание | Площадка, виброзащищённые фундаменты, внешние сети | м² чистых помещений | 500 | 25,0 |
| Энергетика | Подстанция, ГРЩ, распределение, ИБП критичных потребителей | МВА подстанции | 1 200 000 | 5,0 |
| Энергетика | Аварийное питание (ДГУ, 30 % нагрузки) | МВА подстанции | 180 000 | 0,0 |
| Климат | HVAC чистых помещений: MAU, осушка, рециркуляция | м² чистых помещений | 1 800 | 0,0 |
| Климат | Холодоснабжение: чиллеры, градирни | кВт холода | 800 | 0,0 |
| Климат | Технологическая охлаждающая вода (PCW) | кВт мощности оборудования | 300 | 0,0 |
| Вода | Станция сверхчистой воды (UPW) | м³/ч сверхчистой воды | 250 000 | 3,0 |
| Вода | Очистка и нейтрализация стоков | м³/ч сверхчистой воды | 100 000 | 2,0 |
| Газы и химия | Азотная станция (ASU / генератор) и распределение | Нм³/ч азота | 3 000 | 2,0 |
| Газы и химия | Bulk-газы Ar, H₂, O₂, He: хранение и распределение | установок | 60 000 | 3,0 |
| Газы и химия | Специальные газы: кабинеты, VMB, распределение | установок | 180 000 | 0,0 |
| Газы и химия | Химия: CDS, распределение, хранение | установок | 120 000 | 5,0 |
| Вакуум и выхлоп | Вытяжка (кислотная, растворители, токсичная) и скрубберы | м³/ч вытяжки | 60 | 0,0 |
| Вакуум и выхлоп | Локальные abatement-установки | установок с abatement | 250 000 | 0,0 |
| Вакуум и выхлоп | Форвакуумные насосы и линии | установок | 50 000 | 0,0 |
| Безопасность и управление | Газоанализ, пожарная сигнализация и тушение, FMCS/BMS | м² чистых помещений | 350 | 1,0 |
| Безопасность и управление | MES, SECS/GEM, ИТ-инфраструктура, серверные | пластин/мес | 2 000 | 8,0 |
Стоимость статьи = ставка × драйвер + фиксированная часть. Драйверы считаются из технологического блока: площадь чистых помещений, мощность оборудования, число установок, выпуск пластин.
Маршрут FEOL → MOL → BEOL
| Блок | Этап | Модули |
|---|---|---|
| FEOL | 1. Стартовая пластина и эпитаксия | Epitaxy · AFM |
| FEOL | 2. Изоляция STI | Thermal · CVD · Litho · Etch · CMP |
| FEOL | 3. Карманы и Vt | Litho · Implant · Thermal |
| FEOL | 4. Затворный стек (dummy gate) | Thermal · ALD · PVD · CVD · Litho · Etch |
| FEOL | 5. Спейсеры и LDD | ALD · Etch · Implant |
| FEOL | 6. Эпитаксия S/D (eSiGe, Si:P) | Etch · Epitaxy |
| FEOL | 7. Имплантация S/D и активация | Implant · Thermal |
| FEOL | 8. Силицид | PVD · Thermal · Etch |
| MOL | 9. CESL и ILD0 | CVD · CMP |
| MOL | 10. Замещающий металлический затвор | Etch · ALD · CVD · PVD · CMP · AFM |
| MOL | 11. Контакты W | CVD · Litho · Etch · ALD · CMP |
| BEOL | 12. Cu-металлизация, dual damascene ×N | CVD · Litho · Etch · PVD · ECD · Thermal · CMP · AFM |
| BEOL | 13. Верхний металл и площадки | PVD · Litho · Etch · CVD |
| BEOL | 14. Финальный отжиг | Thermal |
КАЛЬКУЛЯТОРЫ ПО ГЛАВАМ СПРАВОЧНИКА
Модель — быстрый скрининг конфигурации, а не инвестиционный расчёт. Число операций на пластину, производительность и цены установок — типовые оценки для 300-мм оборудования 2026 года (±30 %), не котировки. Подбор установок идёт по средней загрузке без учёта очередей, переналадок и партийности печей. Вне периметра — маски, лицензии на техпроцесс, персонал, оборотный капитал и себестоимость пластины.